此前，Intel曾于2023年底接收了首套High-NA EUV机型EXE:5000，并在俄勒冈州的Fab D1X工厂完成了早期技术研发与人才储备，而此次落地的 EXE:5200B 则在生产力与精度上实现了提升。

　　Intel指出，在与ASML的合作下，已成功证明了最先进的光刻设备，在提供改进的精度和生产力方面的技术可行性，为High NA EUV设备未来的大量制造奠定了基础。

　　根据官方资料，EXE:5200B在标准条件下的产能可达每小时175片晶圆，但Intel计划通过进一步的系统调整，将产出率推高至每小时200片晶圆以上。

　　新系统还在Intel过去一年多对High-NA EUV光刻设备的使用经验之上，提升了套刻精度达到了0.7nm。

　　Intel表示，High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的重要能力，结合了自身在掩模、蚀刻、解析度增强和计量等相关领域的技能，达成了当今芯片所需的更精细晶体管细节。